General Devices CLB-307-12-AR

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Power Dissipation (Max)

1

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Breakdown Voltage-Nom

50.3

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-XALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

Rep Pk反向电压-最大值

43

最大非代表峰值转速功率Dis

500

击穿电压-最小值

47.8

最大箝位电压

69.4

击穿电压-最大值

52.8