369-HI-R-M-0-P1-H-E
369-HI-R-M-0-P1-H-E

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

General Electric 369-HI-R-M-0-P1-H-E

  • 收藏
  • 对比

型号

369-HI-R-M-0-P1-H-E

utmel 编号

957-369-HI-R-M-0-P1-H-E

商品类别

其它

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

GE Miscellaneous

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
369-HI-R-M-0-P1-H-E
369-HI-R-M-0-P1-H-E General Electric GE Miscellaneous

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

369-HI-R-M-0-P1-H-E详情

General Electric 369-HI-R-M-0-P1-H-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 供应商器件包装

    SOT-563

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.03A (Ta), 700mA (Ta)

  • 厂商

    Diodes Incorporated

  • Product Status

    活跃

  • Manufacturer Part Number

    369-HI-R-M-0-P1-H-E

  • Manufacturer

    GE

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 功率 - 最大

    450mW (Ta)

  • 场效应管类型

    N and P-Channel Complementary

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    480mOhm @ 200mA, 5V, 970mOhm @ 100mA, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    900mV @ 250µA, 1V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    37.1pF @ 10V, 46.1pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.5nC @ 4.5V, 0.8nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 场效应管特性

    Standard

0个相似型号

369-HI-R-M-0-P1-H-E拓展信息

5-2298
5-2298

General Electric

660L100
660L100

General Electric

BC3
BC3

General Electric

97F5461
97F5461

General Electric

62706
62706

General Electric

27L906
27L906

General Electric

85296
85296

General Electric

97F5071
97F5071

General Electric

97F5121
97F5121

General Electric

97F5583BX
97F5583BX

General Electric

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z