General Semiconductor 2N2018
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2N2018
961-2N2018
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-111-4, Stud
大陆
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TRANS NPN 125V 1A TO111
1最小包装量--
2N2018详情
General Semiconductor 2N2018重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
TO-111-4, Stud
供应商器件包装
TO-111
厂商
General Semiconductor
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
系列
-
操作温度
-
功率 - 最大
20 W
晶体管类型
-
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 500mA, 10V
最大集极截止电流
100μA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
6V @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
125 V
频率转换
2MHz
2N2018拓展信息







哦! 它是空的。