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技术文档
型号
2N2018
品牌
General Semiconductor
utmel 编号
961-2N2018
商品类别
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
封装
TO-111-4, Stud
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRANS NPN 125V 1A TO111
起订量
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2N2018详情
技术参数
General Semiconductor 2N2018重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
供应商器件包装
TO-111
厂商
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
系列
-
操作温度
功率 - 最大
20 W
晶体管类型
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 500mA, 10V
最大集极截止电流
100μA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
6V @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
125 V
频率转换
2MHz
2N2018拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:2N5598
封装:--
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