GeneSiC Semiconductor 1N8035-GA

工厂交货时间

24 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-276AA

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

250°C

包装

Tube

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.80

基本部件号

1N8035

元素配置

Single

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

二极管类型

碳化硅肖特基

反向泄漏电流@ Vr

5μA @ 650V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5V @ 15A

正向电流

15A

工作温度 - 结点

-55°C~250°C

输出电流-最大值

45A

平均整流电流（Io）

14.6A DC

正向电压

2.2V

最大反向电压（DC）

650V

平均整流电流

14.6A

反向恢复时间

0ns

最大重复反向电压(Vrrm)

650V

电容@Vr, F

1107pF @ 1V 1MHz

最大正向浪涌电流（Ifsm）

140A

自然的热阻

0.49 °C/W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant