GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFSOP (0.240, 6.10mm Width)

供应商器件包装

48-TSSOP

Frequency-Max

220MHz

Continuous Drain Current Id

71A

Package

Tube

Base Product Number

G3R40

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

71A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

厂商

GeneSiC Semiconductor

Power Dissipation (Max)

333W (Tc)

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.7 V

Pd - Power Dissipation

297 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 5 V, + 15 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Qg - Gate Charge

88 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

40 mOhms

Id - Continuous Drain Current

63 A

操作温度

0°C ~ 70°C

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

电压 - 供电

3.135 V ~ 3.465 V

基本部件号

ICS9DB108

输出量

Clock

通道数量

1 Channel

电路数量

1

功率耗散

333W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

48mOhm @ 35A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.69V @ 10mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2929 pF @ 800 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

106 nC @ 15 V

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

±15V

输入

Clock

比率-输入：输出

1:8

锁相环

有

差分 - 输入：输出

Yes/Yes

信道型

N通道

主要目的

PCI Express (PCIe)

场效应管特性

-