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GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-220

Name: GB01SLT12-220
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 962-GB01SLT12-220
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

GB01SLT12-220

品牌

GeneSiC Semiconductor

utmel 编号

962-GB01SLT12-220

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

TO-220-2

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

GENESIC SEMICONDUCTOR GB01SLT12-220 Silicon Carbide Schottky Diode, Silicon, 1200V Series, Single, 1.2 kV, 1 A, 13 nC, TO-220AC

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GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GENESIC SEMICONDUCTOR GB01SLT12-220 Silicon Carbide Schottky Diode, Silicon, 1200V Series, Single, 1.2 kV, 1 A, 13 nC, TO-220AC

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GB01SLT12-220详情

技术参数

型号对比

GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-220重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-2
引脚数

2
包装

Bulk
已出版

2005
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
最高工作温度

175°C
最小工作温度

-55°C
最大功率耗散

42W
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
基本部件号

GB01SLT12
元素配置

Single
速度

No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型

碳化硅肖特基
反向泄漏电流@ Vr

2μA @ 1200V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.8V @ 1A
正向电流

1A
最大反向漏电电流

4μA
工作温度 - 结点

-55°C~175°C
最大浪涌电流

10A
电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1200V
最大反向电压（DC）

1.2kV
平均整流电流

1A
反向恢复时间

0ns
最大重复反向电压(Vrrm)

1.2kV
电容@Vr, F

69pF @ 1V 1MHz
恢复时间

17 ns
达到SVHC

无SVHC
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

GB01SLT12-220拓展信息

热销零件