GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-220

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-2

引脚数

2

Number of Elements

1

包装

Tube

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

应用

EFFICIENCY

附加功能

PD-CASE

HTS代码

8541.10.00.80

最大功率耗散

42W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

GB02SLT12

元素配置

Single

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

二极管类型

碳化硅肖特基

反向泄漏电流@ Vr

50μA @ 1200V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.8V @ 2A

箱体转运

CATHODE

正向电流

2A

最大反向漏电电流

8μA

工作温度 - 结点

-55°C~175°C

最大浪涌电流

18A

输出电流-最大值

2A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1200V

正向电压

2.9V

最大反向电压（DC）

1.2kV

平均整流电流

2A

相位的数量

1

反向恢复时间

0ns

最大重复反向电压(Vrrm)

1.2kV

电容@Vr, F

138pF @ 1V 1MHz

恢复时间

17 ns

自然的热阻

2.32 °C/W

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准