GB100XCP12-227
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GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227

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型号

GB100XCP12-227

utmel 编号

962-GB100XCP12-227

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SOT-227-4

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Modules 1200V 100A SIC IGBT CoPak

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GB100XCP12-227
GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor IGBT Modules 1200V 100A SIC IGBT CoPak

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GB100XCP12-227详情

GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 底架

    底座安装

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4

  • 引脚数

    4

  • 质量

    30.000004g

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.2kV

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.9V

  • 操作温度

    -40°C~175°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 极性

    NPN

  • 配置

    Single

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2V

  • 最大集电极电流

    100A

  • 最大集极截止电流

    1mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 输入电容

    8.55nF

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2V @ 15V, 100A

  • IGBT类型

    PT

  • NTC热敏电阻

  • 输入电容(Cies)@Vce

    8.55nF @ 25V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227.

GB100XCP12-227拓展信息

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公司资质

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SMTA
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