GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227
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GB100XCP12-227
962-GB100XCP12-227
晶体管 - IGBT - 模块
SOT-227-4
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IGBT Modules 1200V 100A SIC IGBT CoPak
1最小包装量--
GB100XCP12-227详情
GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4
引脚数
4
质量
30.000004g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
极性
NPN
配置
Single
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
100A
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
8.55nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 100A
IGBT类型
PT
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
8.55nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
GB100XCP12-227拓展信息







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