类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

  • 所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

晶体管元件材料

制造商包装标识符

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

极性

配置

元素配置

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

功率 - 最大

正向电流

晶体管应用

无卤素

极性/通道类型

输入

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

工作温度范围

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

输入电容

最大耗散功率(Abs)

接通时间

隔离电压

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

最大结点温度(Tj)

连续集电极电流

关断时间-标准值(toff)

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

NTC热敏电阻

栅极-发射极电压-最大值

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

产品

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

FPF2C8P2NL07A
FPF2C8P2NL07A
ON Semiconductor 数据表

37 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

通孔

底座安装

F2 Module

45g

650V

-40°C~150°C TJ

2014

yes

活跃

1 (Unlimited)

EAR99

8542.39.00.01

135W

未说明

未说明

三相

135W

Standard

2.2V

30A

250μA

2.5kV

2.2V @ 15V, 30A

场站

ROHS3 Compliant

FS150R12KT4BOSA1
FS150R12KT4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

3000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

6

150A

-40°C~150°C TJ

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

750W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

750W

165 ns

2.1V @ 15V, 150A

605 ns

沟渠现场停车

20V

2.1 V

ROHS3 Compliant

含铅

FF450R12KT4HOSA1
FF450R12KT4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2186 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

Panel, Screw

底座安装

Module

7

2.1V

1.2kV

2

-40°C~150°C TJ

2002

C

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

2.4kW

UPPER

7

NPN

半桥

Dual

2.4kW

ISOLATED

2400W

Standard

1.2kV

580A

5mA

1200V

230 ns

2.15V @ 15V, 450A

720 ns

沟渠现场停车

28nF @ 25V

30.9mm

106.4mm

61.4mm

Unknown

ROHS3 Compliant

FF100R12RT4HOSA1
FF100R12RT4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

49 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

2

100A

-40°C~150°C

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

5

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

7

R-XUFM-X5

2 Independent

Dual

ISOLATED

555W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

185 ns

2.15V @ 15V, 100A

490 ns

沟渠现场停车

630nF @ 25V

符合RoHS标准

无铅

FF200R12KT4HOSA1
FF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

3011 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

7

2

320A

-40°C~150°C TJ

2002

C

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

7

NPN

半桥

Dual

ISOLATED

1100W

不含卤素

Standard

5mA

1200V

680 ns

2.15V @ 15V, 200A

700 ns

沟渠现场停车

14nF @ 25V

ROHS3 Compliant

无铅

FS35R12W1T4BOMA1
FS35R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies 数据表

126 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

18

SILICON

65A

6

-40°C~150°C TJ

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

15

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

22

R-XUFM-X15

不合格

三相逆变器

ISOLATED

225W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

57 ns

2.25V @ 15V, 35A

520 ns

沟渠现场停车

2nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FF300R12KT4HOSA1
FF300R12KT4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

800 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

7

2

450A

-40°C~150°C TJ

2002

C

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

7

NPN

半桥

Dual

ISOLATED

1600W

不含卤素

Standard

5mA

1200V

230 ns

2.15V @ 15V, 300A

720 ns

沟渠现场停车

19nF @ 25V

ROHS3 Compliant

无铅

FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies 数据表

3 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Screw

底座安装

Module

23

SILICON

1.55V

600V

7

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

23

EAR99

115W

UPPER

UNSPECIFIED

23

三相逆变器

ISOLATED

115W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

600V

37A

1mA

42 ns

2V @ 15V, 30A

245 ns

沟渠现场停车

1.65nF @ 25V

无SVHC

符合RoHS标准

FS820R08A6P2BBPSA1
FS820R08A6P2BBPSA1
Infineon Technologies 数据表

2512 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

39 Weeks

AG-HYBRIDD-1

1.1V

940 ns

2006

活跃

1 (Unlimited)

150°C

-40°C

714W

280 ns

750V

175°C

450A

21.81mm

ROHS3 Compliant

FF450R12ME4BOSA1
FF450R12ME4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2882 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

2

675A

-40°C~150°C TJ

2013

no

活跃

1 (Unlimited)

11

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

11

R-XUFM-X11

不合格

半桥

Dual

ISOLATED

2250W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

3mA

1200V

290 ns

2.1V @ 15V, 450A

740 ns

沟渠现场停车

28nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2487 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

99 Weeks

Panel, Screw

底座安装

Module

7

SILICON

2

-40°C~125°C

2002

yes

活跃

不适用

7

EAR99

FAST

1.95kW

UPPER

UNSPECIFIED

7

2 Independent

Dual

ISOLATED

1950W

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

370A

5mA

1200V

180 ns

3.75V @ 15V, 300A

590 ns

20nF @ 25V

30.9mm

106.4mm

61.4mm

ROHS3 Compliant

FF450R17ME4BOSA1
FF450R17ME4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2686 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

NO

SILICON

600A

2

-40°C~150°C

2002

EconoDUAL™ 3

no

活跃

不适用

11

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

11

R-XUFM-X11

不合格

2 Independent

Dual

ISOLATED

2500W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

3mA

1700V

380 ns

2.3V @ 15V, 450A

1600 ns

沟渠现场停车

36nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2565 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

52 Weeks

Screw

底座安装

Module

11

SILICON

2.1V

2

-40°C~150°C

2002

no

不用于新设计

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

11

R-XUFM-X7

不合格

2 Independent

Dual

4.05kW

ISOLATED

4050W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

600A

3mA

1200V

310 ns

2.1V @ 15V, 600A

770 ns

沟渠现场停车

20V

37nF @ 25V

符合RoHS标准

FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies 数据表

1 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

23

SILICON

39A

7

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

175W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

133 ns

2.25V @ 15V, 25A

685 ns

1.45nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FF75R12RT4HOSA1
FF75R12RT4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

10 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

2

75A

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

5

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

7

R-XUFM-X5

2 Independent

Dual

ISOLATED

395W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

185 ns

2.15V @ 15V, 75A

490 ns

沟渠现场停车

4.3nF @ 25V

符合RoHS标准

无铅

FD150R12RT4HOSA1
FD150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

121500 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Screw

底座安装

Module

5

2.15V

1.2kV

1

-40°C~150°C TJ

2002

C

no

活跃

1 (Unlimited)

4

EAR99

790W

UPPER

7

R-XUFM-X4

单斩波器

Single

790W

ISOLATED

不含卤素

Standard

1.2kV

150A

1mA

1200V

185 ns

2.15V @ 15V, 150A

490 ns

沟渠现场停车

9.3nF @ 25V

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

3000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

2

320A

-40°C~150°C

2002

EconoDUAL™ 3

no

活跃

不适用

11

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

11

R-XUFM-X11

不合格

2 Independent

Dual

ISOLATED

1050W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

3mA

1200V

220 ns

2.15V @ 15V, 225A

600 ns

沟渠现场停车

13nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FF1000R17IE4BOSA1
FF1000R17IE4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

846 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

12

SILICON

2

-40°C~150°C

2002

PrimePACK™3

no

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

12

R-XUFM-X7

不合格

2 Independent

Dual

ISOLATED

6250W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1700V

720 ns

2.45V @ 15V, 1000A

1890 ns

81nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FS50R12W2T4BOMA1
FS50R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies 数据表

47 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Tin

Screw

底座安装

Module

18

SILICON

1.85V

1.2kV

6

-40°C~125°C

no

活跃

1 (Unlimited)

15

EAR99

335W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

33

R-XUFM-X15

不合格

全桥逆变器

335W

ISOLATED

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

83A

1mA

1200V

185 ns

2.15V @ 15V, 50A

490 ns

沟渠现场停车

2.8nF @ 25V

无SVHC

ROHS3 Compliant

APT60GA60JD60
APT60GA60JD60
Atmel (Microchip Technology) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOT-227-4

356 W

2 V

112 A

- 55 C

+ 150 C

100 nA

30 V

底座安装

1

POWER MOS 8, ISOTOP

1.058219 oz

Details

600 V

Tube

Single

- 55 C to + 150 C

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

FF150R12RT4HOSA1
FF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2516 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Screw

表面贴装

Module

7

1.75V

150A

2

-40°C~150°C TJ

2002

C

no

活跃

1 (Unlimited)

5

EAR99

UPPER

7

R-XUFM-X5

半桥

Dual

790W

ISOLATED

Standard

1.2kV

1mA

1200V

185 ns

2.15V @ 15V, 150A

490 ns

沟渠现场停车

ROHS3 Compliant

FP75R12KE3BOSA1
FP75R12KE3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

3000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

Tin

Screw

底座安装

Module

24

SILICON

2.15V

1.2kV

7

-40°C~125°C TJ

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

35

EAR99

350W

UPPER

UNSPECIFIED

35

R-XUFM-X35

NPN

Single

350W

ISOLATED

355W

75A

Standard

1.2kV

105A

5mA

1200V

330 ns

2.2V @ 15V, 75A

610 ns

NPT

5.3nF @ 25V

17mm

122mm

62mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

APTGL475U120DAG
APTGL475U120DAG
Microchip Technology 数据表

20 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

Details

1.2 kV

2.307 kW

1.8 V

610 A

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

微芯片技术

Bulk

610 A

APTGL475

活跃

175 °C

APTGL475U120DAG

1

活跃

MICROSEMI CORP

5.69

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

EAR99

compliant

Single

2.307

2307 W

Standard

4 mA

1200 V

2307 W

2.2V @ 15V, 400A

610 A

610

沟渠现场停车

1200 V

20 V

24.6 nF @ 25 V

2.2 V

IGBT硅模块

FF300R12ME4BOSA1
FF300R12ME4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2379 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

2

450A

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

11

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

11

R-XUFM-X11

不合格

2 Independent

Dual

ISOLATED

1600W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

3mA

1200V

240 ns

2.1V @ 15V, 300A

720 ns

沟渠现场停车

18.5nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

APT46GA90JD40
APT46GA90JD40
Microchip Technology 数据表

40 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SOT-227-4

4

ISOTOP®

30.000004 g

2.5 V

87 A

- 55 C

+ 150 C

100 nA

30 V

底座安装

1

POWER MOS 8, ISOTOP

微芯片技术

1.058219 oz

Tube

87 A

APT46GA90

活跃

900 V

Details

900 V

284 W

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

POWER MOS 8™

150 °C

-55 °C

284 W

Single

Single

284

284 W

Standard

900 V

87 A

- 55 C to + 150 C

350 µA

900 V

4.17 nF

3.1V @ 15V, 47A

87

PT

4.17 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm