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GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-220

Name: GB10SLT12-220
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 962-GB10SLT12-220
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

GB10SLT12-220

品牌

GeneSiC Semiconductor

utmel 编号

962-GB10SLT12-220

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

TO-220-2

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

GENESIC SEMICONDUCTOR - GB10SLT12-220 - Silicon Carbide Schottky Diode, Silicon, 1200V Series, Single, 1.2 kV, 10 A, 37 nC, TO-220AC

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GB10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GENESIC SEMICONDUCTOR - GB10SLT12-220 - Silicon Carbide Schottky Diode, Silicon, 1200V Series, Single, 1.2 kV, 10 A, 37 nC, TO-220AC

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GB10SLT12-220详情

技术参数

型号对比

GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-220重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-2
引脚数

2
Number of Elements

1
包装

Tube
已出版

2015
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

2
ECCN 代码

EAR99
最高工作温度

175°C
最小工作温度

-55°C
应用

EFFICIENCY
附加功能

PD-CASE
HTS代码

8541.10.00.80
最大功率耗散

42W
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
基本部件号

GB10SLT12
元素配置

Single
速度

No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型

碳化硅肖特基
反向泄漏电流@ Vr

40μA @ 1200V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.8V @ 10A
箱体转运

CATHODE
正向电流

10A
最大反向漏电电流

52μA
工作温度 - 结点

-55°C~175°C
最大浪涌电流

65A
电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1200V
正向电压

1.8V
最大反向电压（DC）

1.2kV
平均整流电流

10A
相位的数量

1
反向恢复时间

0ns
最大重复反向电压(Vrrm)

1.2kV
电容@Vr, F

520pF @ 1V 1MHz
恢复时间

25 ns
自然的热阻

0.8 °C/W
达到SVHC

无SVHC
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

GB10SLT12-220拓展信息

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