GeneSiC Semiconductor GBJ25D

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

4-SIP, GBJ

表面安装

NO

供应商器件包装

GBJ

二极管元件材料

SILICON

终端数量

4

ECCN (US)

EAR99

Bridge Type

单相

Peak Reverse Repetitive Voltage (V)

200

Peak Average Forward Current (A)

4.5

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current (A)

350

Peak Forward Voltage (V)

[email protected]

Peak Reverse Current (uA)

5

Minimum Operating Temperature (°C)

-50

Maximum Operating Temperature (°C)

150

AEC Qualified

无

Supplier Package

GBJ型壳体

Military

无

Mounting

通孔

Package Height

20

Package Length

30

Package Width

4.6

PCB changed

4

Package

Bulk

Base Product Number

GBJ25

厂商

GeneSiC Semiconductor

Product Status

活跃

Ir - Reverse Current

25 A

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 50 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

200

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

GeneSiC Semiconductor

Brand

GeneSiC Semiconductor

If - Forward Current

4.5 A

Peak Reverse Voltage

200 V

RoHS

Details

Package Description

R-PSFM-T4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

GBJ25D

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SURGE COMPONENTS INC

Risk Rank

5.6

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

单相电桥

附加功能

HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

Standard

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSFM-T4

配置

Single

二极管类型

单相

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 200 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.05 V @ 12.5 A

箱体转运

ISOLATED

最大浪涌电流

350 A

输出电流-最大值

25

平均整流电流（Io）

25 A

产品类别

桥式整流器

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

200

最大非代表Pk前进电流

350 A

电压 - 峰值反向（最大值）

200 V

击穿电压-最小值

200 V

产品

桥式整流器

Vf-正向电压

1.05 V

产品类别

桥式整流器

宽度

4.6 mm

高度

20 mm

长度

30 mm

RoHS状态

是,有豁免