GeneSiC Semiconductor KBJ2008G
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KBJ2008G
962-KBJ2008G
二极管 - 射频
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大陆
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KBJ2008G datasheet pdf and Diodes - RF product details from GeneSiC Semiconductor stock available at utmel
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KBJ2008G详情
GeneSiC Semiconductor KBJ2008G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
4
Package Description
R-PSFM-T4
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
KBJ2008G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Lite-On Semiconductor Corporation
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.7
无铅代码
有
附加功能
UL 认证
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
255
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSFM-T4
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型
桥式整流二极管
输出电流-最大值
3 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
800 V
最大非代表Pk前进电流
200 A
击穿电压-最小值
800 V
KBJ2008G拓展信息
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
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