GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

TO-252-2

厂商

GeneSiC Semiconductor

Product Status

活跃

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

二极管类型

碳化硅肖特基

反向泄漏电流@ Vr

5 μA @ 1200 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.8 V @ 10 A

工作温度 - 结点

-55°C ~ 175°C

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1200 V

平均整流电流（Io）

29A

电容@Vr, F

367pF @ 1V, 1MHz

反向恢复时间(trr)

0 ns