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技术文档
型号
GE04MPS06E
品牌
GeneSiC Semiconductor
utmel 编号
962-GE04MPS06E
商品类别
二极管 - 整流器 - 单
封装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
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GE04MPS06E详情
技术参数
GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
供应商器件包装
TO-252-2
厂商
Product Status
活跃
Ir - Reverse Current
1 uA
Pd - Power Dissipation
101 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.010582 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2500
Mounting Styles
SMD/SMT
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage
650 V
Manufacturer
Brand
If - Forward Current
4 A
RoHS
Details
Ifsm - Forward Surge Current
22 A
包装
切割胶带
类型
肖特基碳化硅二极管
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
SiC
配置
Single
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型
碳化硅肖特基
反向泄漏电流@ Vr
5 μA @ 650 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.35 V @ 4 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
平均整流电流(Io)
11A
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers
电容@Vr, F
186pF @ 1V, 1MHz
反向恢复时间(trr)
0 ns
产品
Vf-正向电压
1.25 V
GE04MPS06E拓展信息
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公司资质
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