GeneSiC Semiconductor MBR35100

生命周期状态

PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

Chassis, Stud

安装类型

Chassis, Stud Mount

包装/外壳

DO-203AA, DO-4, Stud

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Bulk

已出版

2013

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

1

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

应用

POWER

HTS代码

8541.10.00.80

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MUPM-D1

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

1.5mA @ 20V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

840mV @ 35A

箱体转运

CATHODE

正向电流

35A

最大反向漏电电流

1μA

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

最大浪涌电流

600A

正向电压

840mV

最大反向电压（DC）

100V

平均整流电流

35A

相位的数量

1

峰值反向电流

1A

最大重复反向电压(Vrrm)

100V

自然的热阻

1.5 °C/W

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准