GD25LQ16WIGR
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GigaDevice GD25LQ16WIGR

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型号

GD25LQ16WIGR

品牌

GigaDevice

utmel 编号

970-GD25LQ16WIGR

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

16Mb SPI NOR Flash 1.65V-2.0V SOP8 (208mm)

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GD25LQ16WIGR
GD25LQ16WIGR GigaDevice 16Mb SPI NOR Flash 1.65V-2.0V SOP8 (208mm)

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GD25LQ16WIGR详情

GigaDevice GD25LQ16WIGR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • Package Description

    HVSON,

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE

  • Number of Words Code

    16000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    GD25LQ16WIGR

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    120 MHz

  • Number of Words

    16777216 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    HVSON

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc

  • Part Life Cycle Code

    接触制造商

  • Ihs Manufacturer

    GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC

  • Risk Rank

    5.75

  • 类型

    NOR型号

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-N8

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.65 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    16MX1

  • 座位高度-最大

    0.8 mm

  • 内存宽度

    1

  • 记忆密度

    16777216 bit

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    1.8 V

  • 宽度

    5 mm

  • 长度

    6 mm

0个相似型号

GD25LQ16WIGR拓展信息

GD25Q80CTIG
GD25Q80CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LQ64CWIGR
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25Q16CTIG
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25Q16CTIGR
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GD25Q16CSIG
GD25Q16CSIG

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GD25Q16CSIGR
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GD25LQ64CSIGR
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GD25Q20CTIGR

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