GigaDevice GD25Q41BSIGR
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GD25Q41BSIGR
970-GD25Q41BSIGR
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4Mb SPI NOR Flash 2.7V-3.6V SOP8 (150mm)
1最小包装量--
GD25Q41BSIGR详情
GigaDevice GD25Q41BSIGR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
Aluminum
形状
Rectangular, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
8
Package Description
0.208 INCH, GREEN, SOP-8
Package Style
小概要
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GD25Q41BSIGR
Clock Frequency-Max (fCLK)
104 MHz
Number of Words
4194304 words
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.45
系列
pushPIN™
零件状态
活跃
类型
顶部安装
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G8
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.500 (12.70mm)
强制空气流动时的热阻
27.12°C/W @ 100 LFM
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
4MX1
座位高度-最大
2.16 mm
内存宽度
1
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
FLASH
编程电压
2.7 V
自然环境下的热阻
--
温度上升时的耗散功率
--
宽度
1.575 (40.00mm)
长度
1.969 (50.00mm)
直径
--
GD25Q41BSIGR拓展信息
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
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