Global Power GSID200A170S3B1
- 收藏
- 对比
GSID200A170S3B1
975-GSID200A170S3B1
晶体管 - IGBT - 模块
D-3 Module
大陆
立即发货

SILICON IGBT MODULES
1最小包装量--
GSID200A170S3B1详情
Global Power GSID200A170S3B1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
D-3 Module
供应商器件包装
D3
Current-Collector (Ic) (Max)
400A
操作温度
-40°C ~ 150°C
系列
Amp+™
零件状态
活跃
配置
2 Independent
功率 - 最大
1630W
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 200A
IGBT类型
--
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
26nF @ 25V
GSID200A170S3B1拓展信息
Global Power
Global Power
Global Power
Global Power
Global Power
Global Power
Global Power
Global Power
Global Power
Global Power







哦! 它是空的。