Global Power Technology-GPT G5S12010D
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G5S12010D
975-G5S12010D
二极管 - 整流器 - 单
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
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DIODE SIL CARB 1.2KV 30.9A TO263
1最小包装量--
G5S12010D详情
Global Power Technology-GPT G5S12010D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
TO-263
厂商
Global Power Technology-GPT
Package
Tape & Box (TB)
Product Status
活跃
Ptot(W),Tc=25℃
120
Ptot(W),Tc=110℃
52
Config.
Single
Vrrm(V)
1200
IF(A),Tc=160℃
10(151℃)
IF(A),Tc=125℃
13.7(135℃)
IF(A),Tc=25℃
29.2
Ifsm(A),Tc=25℃
120
Qc(nC),TJ=25℃
55(VR=800V)
系列
-
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型
碳化硅肖特基
反向泄漏电流@ Vr
50 μA @ 1200 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 10 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
1200 V
平均整流电流(Io)
30.9A
电容@Vr, F
825pF @ 0V, 1MHz
反向恢复时间(trr)
0 ns
G5S12010D拓展信息
Global Power Technology-GPT
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