G5S12010D
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Global Power Technology-GPT G5S12010D

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型号

G5S12010D

utmel 编号

975-G5S12010D

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE SIL CARB 1.2KV 30.9A TO263

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G5S12010D Global Power Technology-GPT DIODE SIL CARB 1.2KV 30.9A TO263

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G5S12010D详情

Global Power Technology-GPT G5S12010D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 供应商器件包装

    TO-263

  • 厂商

    Global Power Technology-GPT

  • Package

    Tape & Box (TB)

  • Product Status

    活跃

  • Ptot(W),Tc=25℃

    120

  • Ptot(W),Tc=110℃

    52

  • Config.

    Single

  • Vrrm(V)

    1200

  • IF(A),Tc=160℃

    10(151℃)

  • IF(A),Tc=125℃

    13.7(135℃)

  • IF(A),Tc=25℃

    29.2

  • Ifsm(A),Tc=25℃

    120

  • Qc(nC),TJ=25℃

    55(VR=800V)

  • 系列

    -

  • 速度

    No Recovery Time > 500mA (Io)

  • 二极管类型

    碳化硅肖特基

  • 反向泄漏电流@ Vr

    50 μA @ 1200 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.7 V @ 10 A

  • 工作温度 - 结点

    -55°C ~ 175°C

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    1200 V

  • 平均整流电流(Io)

    30.9A

  • 电容@Vr, F

    825pF @ 0V, 1MHz

  • 反向恢复时间(trr)

    0 ns

0个相似型号

G5S12010D拓展信息

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