G050P03T详情
GOFORD G050P03T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220
Package
Bulk
厂商
德州仪器
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
系列
*
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6922 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
111 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
G050P03T拓展信息










哦! 它是空的。