G230P06S
G230P06S

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

GOFORD G230P06S

  • 收藏
  • 对比

型号

G230P06S

品牌

GOFORD

utmel 编号

983-G230P06S

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

P-60V,-8A,RD(MAX)<23M@-10V,VTH-2

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
G230P06S
G230P06S GOFORD P-60V,-8A,RD(MAX)<23M@-10V,VTH-2

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

G230P06S详情

GOFORD G230P06S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 供应商器件包装

    8-SOP

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Manufacturer

    ETA-USA

  • Brand

    ETA-USA

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    9A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    Goford Semiconductor

  • Power Dissipation (Max)

    3W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    4V @ 250µA

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 子类别

    DC-DC Converter

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 输出的数量

    1 Output

  • 效率

    89%

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    23mOhm @ 5A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4784 pF @ 30 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    62 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 产品类别

    Isolated DC-DC Converters

  • 场效应管特性

    -

  • 产品类别

    Isolated DC/DC Converters - Other

0个相似型号

G230P06S拓展信息

GT1K2P15S
GT1K2P15S

GOFORD

G160N04S2
G160N04S2

GOFORD

G4614
G4614

GOFORD

9N90
9N90

GOFORD

G7K2N20LLE
G7K2N20LLE

GOFORD

G180P06K
G180P06K

GOFORD

G700P06T
G700P06T

GOFORD

G075N06MI
G075N06MI

GOFORD

G250N03IE
G250N03IE

GOFORD

G60N10K
G60N10K

GOFORD

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z