G230P06S
G230P06S

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

GOFORD G230P06S

  • 收藏
  • 对比

型号

G230P06S

品牌

GOFORD

utmel 编号

983-G230P06S

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

P-60V,-8A,RD(MAX)<23M@-10V,VTH-2

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
G230P06S
G230P06S GOFORD P-60V,-8A,RD(MAX)<23M@-10V,VTH-2

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

G230P06S详情

GOFORD G230P06S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 供应商器件包装

    8-SOP

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Manufacturer

    ETA-USA

  • Brand

    ETA-USA

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    9A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    Goford Semiconductor

  • Power Dissipation (Max)

    3W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    4V @ 250µA

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 子类别

    DC-DC Converter

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 输出的数量

    1 Output

  • 效率

    89%

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    23mOhm @ 5A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4784 pF @ 30 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    62 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 产品类别

    Isolated DC-DC Converters

  • 场效应管特性

    -

  • 产品类别

    Isolated DC/DC Converters - Other

0个相似型号

G230P06S拓展信息

G4614
G4614

GOFORD

G180P06K
G180P06K

GOFORD

9N90
9N90

GOFORD

11N10
11N10

GOFORD

G17
G17

GOFORD

G1002
G1002

GOFORD

G075N06MI
G075N06MI

GOFORD

G800N06H
G800N06H

GOFORD

G2K2P10SE
G2K2P10SE

GOFORD

GT007N04TL
GT007N04TL

GOFORD

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z