G60N10K
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GOFORD G60N10K

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型号

G60N10K

品牌

GOFORD

utmel 编号

983-G60N10K

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V

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G60N10K详情

GOFORD G60N10K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 供应商器件包装

    TO-252

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    欧姆龙自动化与安全

  • Product Status

    Obsolete

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    60A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    56W (Tc)

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    2.5V @ 250µA

  • 系列

    *

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    25mOhm @ 20A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4118 pF @ 50 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    111 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    90 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

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