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1

￥1.909321
10

￥1.801246
100

￥1.699289
500

￥1.603103
1000

￥1.512362

GOFORD G60N04K

Name: G60N04K
Brand: GOFORD
SKU: 983-G60N04K
Price: 1.91 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

G60N04K

品牌

GOFORD

utmel 编号

983-G60N04K

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

40V 60A 5.3mΩ@10V,30A 65W 2.2V@250uA 190pF@20V N Channel 1.8nF@20V 29nC@10V -55℃~ 150℃@(Tj) TO-252 MOSFETs ROHS

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G60N04K GOFORD 40V 60A 5.3mΩ@10V,30A 65W 2.2V@250uA 190pF@20V N Channel 1.8nF@20V 29nC@10V -55℃~ 150℃@(Tj) TO-252 MOSFETs ROHS

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G60N04K详情

技术参数

GOFORD G60N04K重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装

TO-252 (DPAK)
Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A
厂商

Goford Semiconductor
Power Dissipation (Max)

65W
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

7mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800 pF @ 20 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

40 V
Vgs（最大值）

±20V

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G60N04K拓展信息

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