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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.168959
10
¥1.102792
100
¥1.04037
500
¥0.981481
1000
¥0.925925
4435详情
GOFORD 4435重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
8-SOP
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Product Status
活跃
Power Dissipation (Max)
2.5W
厂商
Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2270 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±20V
4435拓展信息







哦! 它是空的。