GPT SM20-ST

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247 [B]

Package

Tube

Base Product Number

APT18M100

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

625W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

700mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4845 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

1000 V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-