对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 系列 | ECCN 代码 | 类型 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 端子间距 | Reach合规守则 | JESD-30代码 | 资历状况 | 温度等级 | 内存大小 | 端口的数量 | 操作模式 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 建筑学 | 组织结构 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 记忆密度 | 筛选水平 | 并行/串行 | 内存IC类型 | 电压 - 供电 (最大值) | 电压 - 供电 (最小值) | 产品类别 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GS8162Z18DGB-375 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | BGA-119 | YES | 119 | 119 | 2.7, 3.6 V | 18 Bit | 1 MWords | Synchronous | 2.3, 3 V | 2.5, 3.3 V | SDR | FBGA | 238@Flow-Through/375@Pipelined MHz | 有 | 375 MHz | + 70 C | 3.6 V | 0 C | 21 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | NBT SRAM | Details | SDR | BGA, | 网格排列 | 1000000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 4.2 ns | 85 °C | 有 | GS8162Z18DGB-375 | 2.5 V | BGA | RECTANGULAR | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.27 | BGA | Commercial grade | 表面贴装 | 0 to 85 °C | Tray | GS8162Z18DGB | 3A991.B.2.B | NBT Pipeline/Flow Through | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | CMOS | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1.27 mm | compliant | R-PBGA-B119 | 不合格 | OTHER | 18 Mbit | 2 | SYNCHRONOUS | 250 mA, 320 mA | 4.2 ns | Flow-Through/Pipelined | 1 M x 18 | 1.99 mm | 18 | 20 Bit | SRAM | 18 Mbit | 18874368 bit | Commercial | PARALLEL | ZBT SRAM | 2.7 V | 2.3 V | SRAM | 22 mm | 14 mm | ||||||
![]() | GS8162Z18DGB-375I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | BGA-119 | YES | 119 | 119 | 238@Flow-Through/375@Pipelined MHz | FBGA | SDR | 2.5, 3.3 V | 2.3, 3 V | Synchronous | 1 MWords | 18 Bit | 2.7, 3.6 V | 表面贴装 | 有 | 375 MHz | + 85 C | 3.6 V | - 40 C | 21 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | NBT SRAM | Details | SDR | BGA, | 网格排列 | 1000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 4.2 ns | 85 °C | 有 | GS8162Z18DGB-375I | 2.5 V | BGA | RECTANGULAR | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.27 | BGA | Industrial grade | -40 to 100 °C | Tray | GS8162Z18DGB | 3A991.B.2.B | NBT Pipeline/Flow Through | 100 °C | -40 °C | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | CMOS | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1.27 mm | compliant | R-PBGA-B119 | 不合格 | INDUSTRIAL | 18 Mbit | 2 | SYNCHRONOUS | 270 mA, 340 mA | 4.2 ns | Flow-Through/Pipelined | 1 M x 18 | 1.99 mm | 18 | 20 Bit | SRAM | 18 Mbit | 18874368 bit | Industrial | PARALLEL | ZBT SRAM | 2.7 V | 2.3 V | SRAM | 22 mm | 14 mm | 无 |



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