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技术文档
型号
LSIC1MO120E0160
品牌
Hamlin
utmel 编号
1037-LSIC1MO120E0160
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
TO-247-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
LSIC1MO120E0160 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Hamlin stock available at utmel
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LSIC1MO120E0160详情
技术参数
Hamlin LSIC1MO120E0160重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
供应商器件包装
RoHS
Non-Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
22A (Tc)
Other Names
F11005
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tube
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
电缆长度
228.6 mm
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
200 mOhm @ 10A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
870pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
57nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)
1200V
Vgs(最大值)
+22V, -6V
场效应管特性
LSIC1MO120E0160拓展信息
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公司资质
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