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Hangzhou Silan Microelectronics CO LTD SVD1N60M

Name: SVD1N60M
Brand: Hangzhou Silan Microelectronics CO LTD
SKU: 1604-SVD1N60M
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SVD1N60M

品牌

Hangzhou Silan Microelectronics CO LTD

utmel 编号

1604-SVD1N60M

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SVD1N60M Hangzhou Silan Microelectronics CO LTD Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SVD1N60M详情

技术参数

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Hangzhou Silan Microelectronics CO LTD SVD1N60M重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

接触制造商
Ihs Manufacturer

HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO LTD
Drain Current-Max (ID)

1 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
ECCN 代码

EAR99
Reach合规守则

compliant
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
极性/通道类型

N-CHANNEL
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

28 W

0个相似型号

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