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SVD1N60M
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Hangzhou Silan Microelectronics CO LTD SVD1N60M

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型号

SVD1N60M

品牌

Hangzhou Silan Microelectronics CO LTD

utmel 编号

1604-SVD1N60M

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SVD1N60M Hangzhou Silan Microelectronics CO LTD Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SVD1N60M详情

技术参数

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Hangzhou Silan Microelectronics CO LTD SVD1N60M重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    NO

  • Rohs Code

    有

  • Part Life Cycle Code

    接触制造商

  • Ihs Manufacturer

    HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO LTD

  • Drain Current-Max (ID)

    1 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • ECCN 代码

    EAR99

  • Reach合规守则

    compliant

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    28 W

0个相似型号

技术文档: Hangzhou Silan Microelectronics CO LTD SVD1N60M.

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公司资质

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