HARRIS BUZ32

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220AB

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.5A (Tc)

厂商

Harris Corporation

Power Dissipation (Max)

75W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

400mOhm @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-