Harris Corporation JANSR2N7292

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-254-3, TO-254AA

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-254AA

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

厂商

Harris Corporation

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Manufacturer Part Number

JANSR2N7292

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.38

Drain Current-Max (ID)

25 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

端子表面处理

未说明

附加功能

辐射硬化

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

参考标准

MILITARY STANDARD (USA)

JESD-30代码

S-MSFM-P3

资历状况

MILITARY

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

70mOhm @ 20A, 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

552 nC @ 20 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-254AA

漏极-源极导通最大电阻

0.14 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

75 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

unknown