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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.790223
10
¥16.783235
100
¥15.833239
500
¥14.937017
1000
¥14.091523
HGT1S12N60B3详情
Harris HGT1S12N60B3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件包装
I2PAK (TO-262)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
HGT1S12N60B3
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Package Description
PLASTIC PACKAGE-3
Risk Rank
5.63
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Turn-off Time-Nom (toff)
280 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
22 ns
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
27 A
厂商
Harris Corporation
Product Status
活跃
Test Conditions
480V, 12A, 25Ohm, 15V
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
104 W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-262AA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 12A
集电极电流-最大值(IC)
27 A
IGBT类型
-
集电极-发射器电压-最大值
600 V
闸门收费
68 nC
集极脉冲电流(Icm)
110 A
Td(开/关)@25°C
26ns/150ns
开关能量
304µJ (on), 250µJ (off)
HGT1S12N60B3拓展信息
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris







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