Harris HGT1S7N60B3S

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

HGT1S7N60B3S

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

5.63

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Turn-off Time-Nom (toff)

230 ns

Turn-on Time-Nom (ton)

24 ns

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大耗散功率(Abs)

60 W

集电极电流-最大值(IC)

14 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6 V

最大下降时间 (tf)

80 ns