HGTD8P50G1S9A详情
Harris HGTD8P50G1S9A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
HGTD8P50G1S9A
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERSIL CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Risk Rank
5.2
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
680 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
480 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
45 ns
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
集电极电流-最大值(IC)
12 A
集电极-发射器电压-最大值
500 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.7 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6 V
环境耗散-最大值
66 W
最大下降时间 (tf)
2500 ns
HGTD8P50G1S9A拓展信息
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris








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