HARRIS HGTG30N120E2

表面安装

NO

Terminal

Radial

RoHS

有

Lifetime

2 000 h

MSL

n/a

Package Description

,

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HGTG30N120E2

Manufacturer

Harris Semiconductor

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.92

系列

SD

操作温度

-40...+85°C

容差

±20 %

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电容量

1 000 uF

子类别

绝缘栅BIP晶体管

螺距

5 mm

注意

n/a

极性/通道类型

N-CHANNEL

等效串联电阻

- Ohm

最大耗散功率(Abs)

208 W

集电极电流-最大值(IC)

50 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6 V

最大下降时间 (tf)

750 ns

直径

12,5 mm

高度

20 mm

达到SVHC

unknown