HARRIS HIN202IP

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件包装

IPAK (TO-251)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

44A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

107W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HEXFET®

类型

收发器

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

数据率

120kbps

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

27mOhm @ 26A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

65 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

±20V

议定书

RS232

驱动器/接收器的数量

2/2

双工

Full

接收器迟滞

500 mV

场效应管特性

-