HARRIS HM165262B/883

表面安装

NO

终端数量

20

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Package Description

DIP, DIP20,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

16000

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP20,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

70 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HM1-65262B/883

Number of Words

16384 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Harris Semiconductor

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.68

Usage Level

Military grade

系列

*

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-GDIP-T20

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.07 mA

组织结构

16KX1

输出特性

3-STATE

内存宽度

1

待机电流-最大值

0.00002 A

记忆密度

16384 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

输出启用

NO