HM6-6642-9详情
HARRIS HM6-6642-9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Faston
表面安装
NO
终端数量
24
MSL
n/a
Dimensions
D28x55mm
RoHS
有
Package Description
DIP, DIP24,.3
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
512
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Equivalence Code
DIP24,.3
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
220 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HM6-6642-9
Number of Words
512 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Harris Semiconductor
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.85
系列
4.16.10
容差
±5 %
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.71
电容量
1 uF
子类别
OTP ROM
螺距
n/a
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-CDIP-T24
资历状况
不合格
电介质
PP
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
注意
n/a
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.029 mA
组织结构
512X8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
4096 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
OTP ROM
特征
3000 h cl. C
HM6-6642-9拓展信息








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