HARRIS HUF75307D3S

安装类型

Free Hanging (In-Line)

表面安装

YES

越来越多的功能

-

触点形状

Circular

外壳材料

Aluminum

插入材料

-

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

D38999/26FJ

Contact Sizes

20

厂商

Amphenol Aerospace Operations

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HUF75307D3S

Turn-on Time-Max (ton)

60 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Harris Semiconductor

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Turn-off Time-Max (toff)

100 ns

Risk Rank

7.77

Drain Current-Max (ID)

13 A

操作温度

-65°C ~ 200°C

系列

Military, MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ TV

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

Plug Housing

类型

用于内螺纹插座

定位的数量

61

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

紧固类型

Threaded

子类别

FET 通用电源

触点类型

Crimp

端子位置

SINGLE

方向

B

终端形式

鸥翼

屏蔽/屏蔽

Shielded

入口保护

抗环境干扰

Reach合规守则

unknown

外壳完成

化学镍

外壳尺寸-插入

25-61

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

房屋颜色

Silver

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

不包括触点

操作模式

增强型MOSFET

外壳尺寸，MIL

J

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

包括

-

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13 A

漏极-源极导通最大电阻

0.09 Ω

DS 击穿电压-最小值

55 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

35 W

环境耗散-最大值

35 W

特征

Coupling Nut, Self Locking

材料可燃性等级

-