HARRIS HUF75309D3S

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

TO-252, (D-Pak)

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Harris Corporation

Power Dissipation (Max)

55W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

UltraFET™

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

70mOhm @ 19A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

350 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24 nC @ 20 V

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-