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500

￥20.245097
1000

￥19.099146

Harris IRF331

Name: IRF331
Brand: Harris
SKU: 1050-IRF331
Price: 24.11 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRF331

品牌

Harris

utmel 编号

1050-IRF331

商品类别

无类别的

封装

TO-204AA, TO-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

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IRF331 Harris Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

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IRF331详情

技术参数

Harris IRF331重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-204AA, TO-3
供应商器件包装

TO-3
RoHS

Non-Compliant
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Harris Corporation
Power Dissipation (Max)

75W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1Ohm @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

350 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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