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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥24.037925
10
¥22.677288
100
¥21.393669
500
¥20.182706
1000
¥19.040287
型号
IRF331
品牌
Harris
utmel 编号
1050-IRF331
商品类别
无类别的
封装
TO-204AA, TO-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
起订量
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IRF331详情
技术参数
Harris IRF331重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
供应商器件包装
TO-3
RoHS
Non-Compliant
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Harris Corporation
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1Ohm @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
700 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
350 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
IRF331拓展信息
公司资质
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