IRF331
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Harris IRF331

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型号

IRF331

品牌

Harris

utmel 编号

1050-IRF331

商品类别

无类别的

封装

TO-204AA, TO-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

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IRF331 Harris Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

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IRF331详情

Harris IRF331重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-204AA, TO-3

  • 供应商器件包装

    TO-3

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5.5A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    Harris Corporation

  • Power Dissipation (Max)

    75W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1Ohm @ 3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    700 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    35 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    350 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

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IRF331拓展信息

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