注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.592333
10
¥9.992767
100
¥9.427139
500
¥8.893531
1000
¥8.390122
IRFD210详情
HARRIS IRFD210重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
4-DIP (0.300, 7.62mm)
安装类型
通孔
供应商器件包装
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Product Status
活跃
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
厂商
Harris Corporation
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
600mA (Ta)
Base Product Number
IRFD210
Package
Bulk
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5Ohm @ 360mA, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
140 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.2 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
200 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
IRFD210拓展信息
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation







哦! 它是空的。