HARRIS IRFD213

安装类型

通孔

包装/外壳

4-DIP (0.300, 7.62mm)

供应商器件包装

4-HVMDIP

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

450mA (Ta)

厂商

Harris Corporation

Package

Tube

Power Dissipation (Max)

-

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2Ohm @ 270mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

140 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.2 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

250 V

场效应管特性

-