HARRIS IRFD220

包装/外壳

4-DIP (0.300, 7.62mm)

安装类型

通孔

供应商器件包装

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

1W (Ta)

厂商

Harris Corporation

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

800mA (Ta)

Base Product Number

IRFD220

Package

Bulk

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

800mOhm @ 480mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

260 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-