Harris IRFF213R

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IRFF213R

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

5.82

Drain Current-Max (ID)

1.8 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Max (toff)

30 ns

Turn-on Time-Max (ton)

40 ns

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.8 A

漏极-源极导通最大电阻

2.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7.5 A

DS 击穿电压-最小值

150 V

雪崩能量等级（Eas）

30 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

15 W

环境耗散-最大值

15 W