HARRIS IRFF221R

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFF221R

Turn-on Time-Max (ton)

100 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Harris Semiconductor

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Turn-off Time-Max (toff)

160 ns

Risk Rank

5.81

Drain Current-Max (ID)

3.5 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14 A

DS 击穿电压-最小值

150 V

雪崩能量等级（Eas）

85 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

20 W

环境耗散-最大值

20 W