HARRIS IRFP352R

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

PDG33K0300VFAL

Approvals

CE, CSA, UL

Manufacturer

Cutler Hammer, Div of Eaton Corp

Mounting

Panel

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Drain Current-Max (ID)

14 A

Risk Rank

5.79

Turn-off Time-Max (toff)

181 ns

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Package Shape

RECTANGULAR

Turn-on Time-Max (ton)

95 ns

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

300 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247

最大漏极电流 (Abs) (ID)

14 A

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

56 A

DS 击穿电压-最小值

400 V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

180 W

环境耗散-最大值

180 W