MCTV35P60F1D详情
Harris MCTV35P60F1D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
5
Manufacturer Part Number
MCTV35P60F1D
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T5
Risk Rank
5.92
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.30.00.80
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN ANTI-PARALLEL DIODE
触发装置类型
P-CH MOS CONTROLLED THYRISTOR
MCTV35P60F1D拓展信息
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris
Harris








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